Micro Resist納米壓印光刻膠

Name: Micro Resist納米壓印光刻膠
Brand: 武漢月憶神湖科技有限公司
Availability: InStock

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更新時間：2025-09-19 19:56:41
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武漢月憶神湖科技有限公司

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產品簡介

德國Micro Resist公司創立于1993年.公司生產的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束及深紫外光刻膠和納米壓印光刻膠以及專門用于光學波導制作的光膠可供選擇。

詳情介紹

品牌	產地	型號	特點
Micro Resist	德國	mr-I 7000E系納米壓印光刻膠	Tg = 60℃ 優異的成膜質量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度125 - 150℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 8000E系列	Tg = 115℃ 優異的成膜質量由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間壓印溫度170 - 190℃，壓印壓力20 - 50 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于PMMA 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I PMMA 35k/75系列	Tg = 105℃ 優異的成膜質量低分子量從而實現高效的流動性壓印溫度150 - 180℃，壓印壓力50 bar 可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I T85系列	Tg = 85℃ 優異的成膜質量壓印溫度140 - 170℃，壓印壓力大于5 bar Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠非極化熱塑性、具有優異的紫外和光學透過率，高化學穩定性可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-I 9000E系列	熱固化之前Tg = 35℃ 優異的成膜質量接近等溫加工處理 n 壓印溫度120℃ n 脫模溫度100℃ 壓印時溫度從Tg到Tg，Cured增加并固化非常低的殘余膠層厚度低至5 nm Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）

		mr-NIL 6000系列	光化學固化之前Tg = 40℃ 優質的固體光膠薄膜接近等溫加工處理：壓印、紫外曝光固化，壓印與脫模在同一溫度下進行非常低的殘余膠層厚度低至10 nm 圖案轉移時高保真度 Plasma刻蝕阻抗性能優于傳統的Novolak基光膠可獲得優于50 nm的分辨率（取決于模版分辨率）寬帶或i線曝光

		mr-UVCur06 納米壓印光刻膠	旋涂使用優質的成膜質量和膠厚均一性室溫加工處理由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間低劑量紫外曝光快速固化可獲得優于30 nm的分辨率（取決于模版分辨率） Plasma刻蝕高阻抗性能 O2 Plasma刻蝕可無殘余去除寬帶或i線曝光