產品簡介
技術參數品牌：TI型號：CSD17308Q3批號：21+封裝：NA數量：5000QQ：制造商：TexasInstruments系列：NexFET™FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：14A（Ta）
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI |
| 型號： | CSD17308Q3 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 5000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 系列： | NexFET™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 14A（Ta），44A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 10.3 毫歐 @ 10A，8V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1.8V @ 250µA |
| Vgs（值）： | +10V，-8V |
| 功率耗散（值）： | 2.7W（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 8-VSON-CLIP（3.3x3.3） |
| 封裝/外殼： | 8-PowerTDFN |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 5.1 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 700 pF @ 15 V |
| 基本產品編號： | CSD17308 |
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