技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | TI |
| 型號： | CSD86330Q3D |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | NA |
| 數(shù)量： | 2500 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | LSON-CLIP-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 25 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 4.5 A |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 5 V, + 5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 900 mV |
| Qg-柵極電荷： | 6.2 nC, 12 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 6 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | NexFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.5 mm |
| 長度： | 3.3 mm |
| 系列： | CSD86330Q3D |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 3.3 mm |
| 商標： | Texas Instruments |
| 正向跨導 - 最小值： | 52 S, 82 S |
| 開發(fā)套件： | CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679 |
| 下降時間： | 1.9 ns, 4.2 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 7.5 ns, 6.3 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 8.5 ns, 15.8 ns |
| 典型接通延遲時間： | 4.9 ns, 5.3 ns |
| 單位重量： | 64 mg |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。