產品簡介
N溝道SiMOSFETIRL2703PBF,24A,Vds=30V,3針TO-220AB封裝 通道類型N大連續漏極電流24A大漏源電壓30V大漏源電阻值40mΩ大柵閾值電壓1V小柵閾值電壓1V大柵源電壓±16V封裝類型TO-220AB安裝類型通孔引腳數目3晶體管配置單通道模式增強類別功率MOSFET大功率耗散45W高工作溫度+175°C系列HEXFET高度8
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET IRL2703PBF, 24 A, Vds=30 V, 3針 TO-220AB封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 24 A |
| 大漏源電壓 | 30 V |
| 大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 1V |
| 小柵閾值電壓 | 1V |
| 大柵源電壓 | ±16 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 45 W |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 8.77mm |
| Board Level Components | Y |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 長度 | 10.54mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.69mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型接通延遲時間 | 8.5 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| 典型輸入電容值@Vds | 450 pF@ 25 V |
| 典型關斷延遲時間 | 12 ns |
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