P溝道 Si MOSFET IRF9510PBF, 4 A, Vds=100 V, 3針 TO-220AB封裝
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 4 A |
| 大漏源電壓 | 100 V |
| 大漏源電阻值 | 1.2 Ω |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 43 W |
| 高度 | 9.01mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 典型關斷延遲時間 | 15 ns |
| 長度 | 10.41mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 200 pF@ 25 V |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
| 典型接通延遲時間 | 10 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
| Board Level Components | Y |
| 典型柵極電荷@Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。