該系列GaN IMFET氮化鎵微波功率晶體管代表了國產GaN功放管的zui高技術水平，技術參數和表現達到了國外同類氮化鎵微波功率晶體管的水平，但是氮化鎵微波功率晶體管價格具有很強的競爭力。詳情聯系我們。
中國制造的GaN-IMFET不斷改進和*，使氮化鎵（GaN）晶體管能夠在更高的頻率下工作，產生更高的輸出功率，廣泛應用于射頻放大器中，使地球站能夠與那些天上的衛星通信。
國產GaN-IMFET比過去小得多，效率高。與硅和砷化鎵技術相比，GaN技術仍然是一項新技術，但工程師們正在開始探索它的優點和能力。GaN具有高擊穿場、高飽和速度和優異的熱性能，非常適合于要求較高的VSAT應用。
該器件是與50Ω匹配的GaN IMFET，采用工業標準空腔封裝，非常適合和民用雷達。該裝置可支持脈沖和線性操作。
無鉛和符合ROHS標準，可根據要求提供評估板。
主要特點
頻率：1.2至1.4 GHz
輸出功率（P3dB）：540瓦
線性增益：19.9dB
典型的PAE3dB1:66.7%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
脈沖能力
注1：@1.3 GH
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