這款自動(dòng)離子減薄儀是為TEM減薄制樣和XTEM減薄制備而設(shè)計(jì)的進(jìn)口離子束減薄系統(tǒng),ion mills,離子研磨儀,旨在快速制備的高品質(zhì)TEM / XTEM超薄樣品，它具有具有市場較寬能量范圍100eV-16keV。
該自動(dòng)離子減薄儀使用超高能量惰性氣體離子源進(jìn)行快速削磨，并使用的低能離子槍進(jìn)行較終拋光和清潔。
自動(dòng)離子減薄儀特點(diǎn)
易于使用和自動(dòng)化操作
具有市場較寬能量范圍100 eV-16 keV
加載鎖定系統(tǒng)，用于快速交換樣品
LN2或Peltier冷卻選項(xiàng)
在線監(jiān)控和支持
自動(dòng)子減薄儀“雙功能”
離子源的寬能量范圍允許非常高的削磨速率（900μm/ h）和同種儀器的溫和清潔功能。
易于使用和自動(dòng)化操作
易于使用的圖形界面提供完整的計(jì)算機(jī)控制。 所有削磨參數(shù)可以以任意數(shù)量的步進(jìn)存儲(chǔ)或預(yù)編程。 離子離子減薄儀這種自動(dòng)化功能允許以較少的用戶干預(yù)生產(chǎn)高質(zhì)量的樣品。
樣品冷卻
為了滿足所有可能的需求，SEMPrep2提供了兩種不同的冷卻方式：
液氮冷卻在離子轟擊期間減少了過多的樣品加熱。 因此，可以制備熱敏材料，而不會(huì)使內(nèi)部結(jié)構(gòu)失穩(wěn)。
Peltier 冷卻是一種舒適的防過熱保護(hù)，并將樣品保持在室溫。
自動(dòng)離子減薄儀快速和自動(dòng)樣品交換
負(fù)載鎖定和電動(dòng)樣品架驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供了快速簡單的樣品交換，盡可能少的用戶交互。 負(fù)載鎖定可保護(hù)工作室中的真空水平，為重型用戶節(jié)省大量時(shí)間和精力。
在線監(jiān)控和支持
提供了在線的軟件擴(kuò)展，可通過互聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn)即時(shí)錯(cuò)誤檢測和程序消除。
綜述
自動(dòng)離子減薄儀旨在極快地制備高質(zhì)量TEM / XTEM樣品。該離子離子減薄儀使用超高能量惰性氣體離子源進(jìn)行快速削磨，并使用的低能離子槍進(jìn)行較終拋光和清潔。
 
包括兩個(gè)獨(dú)立控制的離子源：一個(gè)聚焦的高能量或超高能離子槍和一個(gè)聚焦的低能離子槍。
高和超高能量離子源：高能量和超高能量離子源在市場上提供較高的削磨率。運(yùn)行高達(dá)16 keV的離子槍特別設(shè)計(jì)用于非常低削磨速率材料的TEM樣品制備。
低能量離子源：離子源的構(gòu)造允許在整個(gè)工作范圍內(nèi)達(dá)到高束流密度。極低能量惰性氣體離子束保證了表面損傷和離子束誘導(dǎo)的非晶化的較小化。
離子源控制：包括加速電壓和束電流在內(nèi)的所有離子槍參數(shù)都由數(shù)字反饋回路自動(dòng)控制，但在樣品制備過程中，它們始終可以手動(dòng)更換。離子源參數(shù)的初始值自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置，并由計(jì)算機(jī)連續(xù)監(jiān)測和顯示。
 自動(dòng)離子減薄儀自動(dòng)操作
圖形界面提供全面的計(jì)算機(jī)控制，易于使用。包括電極電壓，工作氣體流量，樣品運(yùn)動(dòng)/傾斜以及進(jìn)程定時(shí)和穿孔檢測的其他參數(shù)的所有削磨參數(shù)可以以任意數(shù)量的步驟存儲(chǔ)或預(yù)編程。 IV7的全自動(dòng)化功能允許以較少的用戶干預(yù)生產(chǎn)高質(zhì)量的樣品。
 自動(dòng)離子減薄儀應(yīng)用
開發(fā)新材料或新的樣品制備方法，并且由于其的研磨速率，因此還建議用于研究非常低的濺射速率的材料，如金剛石，藍(lán)寶石等。其的生產(chǎn)損傷 - 通過低能量離子轟擊產(chǎn)生無偽影的樣品，提供了在技術(shù)科學(xué)和材料研究各個(gè)領(lǐng)域研究合成和天然材料中的真實(shí)納米結(jié)構(gòu)的機(jī)會(huì)。
可選液氮冷卻
在線監(jiān)測和支持
提供了在線的軟件擴(kuò)展，可通過互聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn)即時(shí)錯(cuò)誤檢測和問題消除。
 
規(guī)格
離子源
高能離子源：
離子能量：高達(dá)10000 eV，可連續(xù)調(diào)節(jié)
離子電流密度：較大100mA / cm2
光束電流：140μA
光束直徑：200-500μm（FWHM）
銑削速率：在10000 eV的c-Si上為180μm/ h，光束入射角為30º
超高能離子源：
離子能量：高達(dá)16000 eV，可連續(xù)調(diào)節(jié)
離子電流密度：> 150 mA / cm2
光束電流：250μA
光束直徑：100 - 300μm（FWHM）
銑削速率：在8000c / h的c-Si，16000 eV和30º角度的光束入射
低能離子源：
離子能量：100 - 2000 eV，可連續(xù)調(diào)節(jié)
離子電流密度：較大10 mA / cm2
光束電流：7 - 80μA
光束直徑：750 - 1200 m（FWHM）
在2000 eV離子能量下，c-Si上的銑削速率為28μm/ h，束入射角為30°
 
樣品位移臺
研磨角度：0° - 30°，電子可調(diào)0.1°增量
計(jì)算機(jī)控制的平面內(nèi)樣品旋轉(zhuǎn)和振蕩
（±10° - ±60°角度范圍，以10°增量電子調(diào)節(jié)）
可接受的TEM樣品的厚度范圍（30 - 200μm）
 
真空系統(tǒng)
Pfeiffer真空系統(tǒng)帶無油隔膜和渦輪分子泵，配有緊湊型全范圍Pirani / Penning真空計(jì)
 
氣體供應(yīng)系統(tǒng)
99.999％純度的氬氣為1.3 - 1.7 bar壓力
壓力調(diào)節(jié)器，用于帶電子出口壓力監(jiān)測的惰性氣體服務(wù)
通過電動(dòng)針閥進(jìn)行高精度工作控制氣體流量
 
成像系統(tǒng)
CMOS相機(jī)圖像，用于視覺控制和削磨監(jiān)控/終止
高分辨率（5 M像素）彩色CMOS相機(jī)
手動(dòng)變焦視頻鏡頭為50 - 400×放大范圍
 
電腦控制
內(nèi)置工業(yè)級PC
易于使用的圖形界面和圖像分析模塊
用戶獨(dú)立的離子源設(shè)置，包括電動(dòng)針閥的氣流調(diào)節(jié)
用于自動(dòng)設(shè)置機(jī)械和電子削磨參數(shù)的預(yù)編程削磨配方（也可以進(jìn)行手動(dòng)調(diào)整）
自動(dòng)樣品加載
自動(dòng)終止：由圖像分析模塊支持的削磨過程的光學(xué)終端，用于檢測樣品穿孔或監(jiān)測表面形貌的演變
 
電源要求
100 - 120 V / 4.0 A / 60 Hz或220 - 240 V / 2.0 A / 50 Hz - 單相