主要用途：

　　用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。適用于各大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。

　　系統組成:

　　主要由濺射真空室、旋轉靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

　　技術指標：

　　極限真空度：≤×10-6 Pa

　　恢復真空時間：從1×105 Pa抽至5×10-5 Pa≤20min

　　系統漏率：6. 7×/S；

　　真空室：Ф300球型真空室 （定制），

　　基片尺寸：可放置4英寸 可實現公轉換靶位描等基片加熱可連續回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發源之間距離300-350mm可調。

　　二維掃描機械平臺，執行兩自由度掃描,控制的內容主要有公轉換靶、靶自轉、樣品自轉、樣品控溫、激光束掃,質量流量控制器1路

　　烘烤溫度：150℃數顯自動熱偶控溫（高溫爐盤，數顯自動熱偶控溫可加熱到800℃）