電子束鍍膜設備

主要用途：

用于制備導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜等，廣泛應用于大專院校、科研機構的科研及小批量生產。

系統組成:

系統主要由蒸發真空室、E型電子槍、熱蒸發電極、旋轉基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

技術指標：

1.極限真空度：≤×10 Pa

2.恢復真空時間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min

3.系統漏率：6. 7×/S；

型電子槍：陽極電壓：8kv(1套)

5.坩堝：水冷式坩堝，4穴設計，每個容量11ml

6.功率：0-8KW可調

7.電阻蒸發源(可選)電壓：5V

8.功率：電流300A，輸出功率2Kw1套，可切換水冷電

極3根，組成2個蒸發舟

9.基片尺寸：可放置4″基片

10.樣品臺：基片可連續回轉，轉速5-60轉/分基片與蒸發源之間距離300-350mm加熱溫度 600°C±1°C，可調手動控制樣品擋板組件1套

氣路系統：質量流量控制器1路

石英晶振膜厚控制儀：監測膜厚顯示范圍：0-99μ9999?