科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件特點(diǎn)
? 電流控制范圍：±2.0A
? 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
? 高帶寬高輸入阻抗的放大器
? 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
? 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
? 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
? 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
? 雙道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
科思特CS350M電化學(xué)工作站應(yīng)用
? 電化學(xué)分析研究
? 金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)
? 緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)
? 電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究
? 能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究
科思特CS350M電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
| 恒電位控制范圍 | ±10V |
| 恒電流控制范圍 | ±2.0A |
| 電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
| 電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) |
| 電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
| 電流靈敏度 | 1pA |
| 電位上升時(shí)間 | ﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) |
| 電流量程 | 2nA～2A, 共10檔 |
| 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
| 較大輸出電流 | 2.0A |
| 槽壓輸出 | ±21V |
| 電流掃描增量 | 1mA @1A/mS |
| CV和LSV掃描速度 | 0.001mV～10000V/s |
| 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
| CA和CC脈沖寬度 | 0.0001～65000s |
| DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001～1000s |
| SWV頻率 | 0.001～100KHz |
| CV的較小電位增量 | 0.020mV |
| AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@3.6MHz，20bit @1KHz |
| 電流與電位量程 | 自動(dòng)設(shè)置 |
| DA分辨率 | 16bit，建立時(shí)間：1μS |
| 低通濾波器 | 8段可編程 |
| 通訊接口 | USB2.0、RJ45網(wǎng)口 |
| 儀器重量 | 7.6Kg |
| 外形尺寸（cm） | 36.4(W)*32.0(D)*13.8(H) |
科思特CS350M電化學(xué)工作站電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
| 信號(hào)發(fā)生器 | |
| 頻率響應(yīng) | 10μHz～1MHz |
| 頻率精度 | 0.005% |
| 交流信號(hào)幅值 | 1mV～2500mV |
| 信號(hào)分辨率 | 0.1mV RMS |
| DDS輸出阻抗 | 50Ω |
| 正弦波失真率 | <1% |
| 直流偏壓 | -10V～+10V |
| 波形 | 正弦波，三角波，方波 |
| 掃描方式 | 對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 |
| 信號(hào)分析器 | |
| 較大積分時(shí)間 | 106個(gè)循環(huán)或者105S |
| 較小積分時(shí)間 | 10mS 或者一個(gè)循環(huán)的較長(zhǎng)時(shí)間 |
| 測(cè)量時(shí)間延遲 | 0～105秒 |
| 直流偏置補(bǔ)償 | |
| 電位補(bǔ)償范圍 | -10V～+10V |
| 電流補(bǔ)償范圍 | -1A～+1A |
| 帶寬調(diào)整 | 自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
科思特CS350M電化學(xué)工作站配置
電腦（選配*）
儀器主機(jī)1臺(tái)
電極電纜線1條
模擬電解池1個(gè)
電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
關(guān)鍵詞：武漢科思特儀器、大電流電化學(xué)工作站、燃料電池、電解水、CS350M、電化學(xué)工作站、科思特CS350M電化學(xué)工作站
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