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深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市吉中創(chuàng)電子科技有限公司>>繼電器>>固態(tài)繼電器>> NTMFS5C628NLT1GON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS5C628NLT1G MOSFET TRENCH 6 60V NFET

ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS5C628NLT1G MOSFET TRENCH 6 60V NFET

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià): 57
訂  貨  量: ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):NTMFS5C628NLT1G
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類(lèi)別:固態(tài)繼電器
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2022-11-15 08:27:50
  • 瀏覽次數(shù):6
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1110條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2016-09-19
  • 最近登錄:2022-11-14
  • 聯(lián)系人:夏小姐
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ON
型號(hào):NTMFS5C628NLT1G
批號(hào):21+
封裝:DFN-5
數(shù)量:12000
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DFN-5
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:150 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Qg-柵極電荷:52 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:110 S
下降時(shí)間:70 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:150 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28 ns
典型接通延遲時(shí)間:15 ns
單位重量:107.200 mg
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