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深圳市博奕泰電子科技有限公司

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當(dāng)前位置:深圳市博奕泰電子科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> NTJD1155LT1GOnsemi 場(chǎng)效應(yīng)管 NTJD1155LT1G MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

Onsemi 場(chǎng)效應(yīng)管 NTJD1155LT1G MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):NTJD1155LT1G
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:RF晶體管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-11-22 08:38:42
  • 瀏覽次數(shù):15
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  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:837條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-11-21
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  • 聯(lián)系人:林春綿
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌:Onsemi型號(hào):NTJD1155LT1G批號(hào):21+封裝:SOT363數(shù)量:60000QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-88-6通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:8VId-連續(xù)漏極電流:1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:Onsemi
型號(hào):NTJD1155LT1G
批號(hào):21+
封裝:SOT363
數(shù)量:60000
QQ:
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SC-88-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:8 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:175 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:400 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.9 mm
長(zhǎng)度:2 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:NTJD1155L
晶體管類型:2 P-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.25 mm
商標(biāo):ON Semiconductor
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
單位重量:31 mg
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