技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STB200NF04T4 |
| 批號： | 1250+ |
| 封裝： | D2PAK |
| 數量： | 826 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-40V-120A（Tc）-310W（Tc）-D2PAK |
| 數據列表： | STP200NF04, STB200NF04(-1); |
| 標準包裝： | 1,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 停產 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | STripFET™ II |
| 其它名稱： | 497-3513-2 |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 40V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | 120A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 3.7 毫歐 @ 90A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 210nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 5100pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 310W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | D2PAK |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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