產品簡介
技術參數品牌：ONSEMICONDUCTOR型號：NTD20P06LT4G數量：5000制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-4晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：15
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON SEMICONDUCTOR |
| 型號： | NTD20P06LT4G |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | onsemi |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-4 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 15.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 143 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 65 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 70 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 11 S |
| 高度： | 2.38 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 上升時間： | 90 ns |
| 系列： | NTD20P06L |
| 晶體管類型： | MOSFET |
| 典型關閉延遲時間： | 11 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.22 mm |
| 寬度： | 340 mg |
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