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STD3NK80ZT4 場效應(yīng)管 STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:STD3NK80ZT4
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:沖壓加工
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-10-30 18:21:38
  • 瀏覽次數(shù):11
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1161條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時(shí)間:2023-10-30
  • 最近登錄:2023-10-30
  • 聯(lián)系人:李小姐
  • 電    話:18928440036

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:STMICROELECTRONICS型號:STD3NK80ZT4數(shù)量:5000制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:800VId-連續(xù)漏極電流:2

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:STMICROELECTRONICS
型號:STD3NK80ZT4
數(shù)量:5000
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:19 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:70 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:40 ns
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
上升時(shí)間:27 ns
系列:STD3NK80ZT4
晶體管類型:MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns
典型接通延遲時(shí)間:6.2 mm
寬度:330 mg
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