技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON |
| 型號： | NTZD3154NT1G |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT |
| 數(shù)量： | 6890 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-563-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 570 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 550 mOhms, 550 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 7 V, + 7 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 450 mV |
| Qg-柵極電荷： | 1.5 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 280 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 0.55 mm |
| 長度： | 1.6 mm |
| 系列： | NTZD3154N |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 1.2 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 1 S, 1 S |
| 下降時間： | 8 ns, 8 ns |
| 上升時間： | 4 ns, 4 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 16 ns, 16 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6 ns, 6 ns |
| 單位重量： | 3 mg |
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