技術參數(shù)
| 品牌： | ONSEMI |
| 型號： | HGTG10N120BND |
| 封裝： | BULK |
| 批號： | 20+ |
| 數(shù)量： | 3000 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 |
| IGBT 類型： | NPT |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 1200V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 35A |
| 電流 - 集電極脈沖 (Icm)： | 80A |
| 不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（值）： | 2.7V @ 15V，10A |
| 功率 - 值： | 298W |
| 開關能量： | 850µJ（開），800µJ（關） |
| 輸入類型： | 標準 |
| 柵極電荷： | 100nC |
| 25°C 時 Td（開/關）值： | 23ns/165ns |
| 測試條件： | 960V，10A，10 歐姆，15V |
| 反向恢復時間 (trr)： | 70ns |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-247-3 |
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