技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | MRF7S21150HSR3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 技術： | Si |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 65 V |
| 最小工作溫度： | - 65 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-780S |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.32 mm |
| 長度： | 20.7 mm |
| 系列： | MRF7S21150H |
| 類型： | RF Power MOSFET |
| 寬度： | 9.91 mm |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 通道模式： | Enhancement |
| 產品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 250 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, 10 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 4.763 g |
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