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深圳市前海暮今電子科技有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市前海暮今電子科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> NVMFD5877NLT1GNVMFD5877NLT1G 場(chǎng)效應(yīng)管 ON MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI

NVMFD5877NLT1G 場(chǎng)效應(yīng)管 ON MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：NVMFD5877NLT1G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-22 07:58:17
  • 瀏覽次數(shù)：10
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1134條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-08-06
  • 最近登錄：2023-08-06
  • 聯(lián)系人：林琳小姐
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號(hào)：NVMFD5877NLT1G
批號(hào)：21+
封裝：DFN8
數(shù)量：10500
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：DFN-5x6-8
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：23 W
配置：Dual
資格：AEC-Q101
系列：NVMFD5877NL
晶體管類型：2 N-Channel
單位重量：37.400 mg
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