產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：DMG6602SVT-7批號：20+封裝：TSOT-26-6數量：30000QQ：制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOT-26-6晶體管極性：N-Channel
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMG6602SVT-7 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | TSOT-26-6 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSOT-26-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.4 A, 2.8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 100 mOhms, 140 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Qg-柵極電荷： | 9 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 840 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 系列： | DMG6602 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 商標： | Diodes Incorporated |
| 正向跨導 - 最小值： | 4 S |
| 下降時間： | 3 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 5 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 13 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3 ns |
| 單位重量： | 39 g |
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