技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | DIODES |
| 型號(hào)： | DMN21D2UFB-7 |
| 批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | X1-DFN1006-3 |
| 數(shù)量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | X1-DFN1006-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 760 mA |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 990 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 0.93 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 0.38 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 商標(biāo)： | Diodes Incorporated |
| 下降時(shí)間： | 9.8 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時(shí)間： | 4.2 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 19.6 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 3.5 ns |
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