技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI2312BDS-T1-GE3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT-23 |
| 數(shù)量： | 30000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| 對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期： | 14 周 |
| 詳細(xì)描述： | 表面貼裝型-N-通道-20V-3.9A（Ta）-750mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236） |
| 數(shù)據(jù)列表： | Si2312BDS; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI2312BDS-T1-GE3TR |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 3.9A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 31 毫歐 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 12nC @ 4.5V |
| Vgs（值）： | ±8V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 750mW（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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