ICP-MS電感耦合等離子體質(zhì)譜是分析高純物質(zhì)中痕量雜質(zhì)的有效的方法,具有背景質(zhì)譜簡(jiǎn)單,檢出限低等特點(diǎn)。對(duì)于高純稀土的測(cè)定,ICP-MS又有更為明顯的優(yōu)點(diǎn):背景譜簡(jiǎn)單,各稀土元素的靈敏度高且相近;質(zhì)量數(shù)集中,利于優(yōu)化測(cè)定參數(shù)。能夠準(zhǔn)確測(cè)定純度在3N以上的高純稀土中的雜質(zhì)元素。
ICP-MS的應(yīng)用領(lǐng)域
1、純金屬,材料,化合物
--高溫合金
--高純金屬
--高純稀土氧化物
2、環(huán)境監(jiān)測(cè)
--飲用水
--固廢
--土壤
3、核化學(xué)及核環(huán)境監(jiān)測(cè)
--廢渣及周邊環(huán)境
--鈾燃料生產(chǎn)
4、民生醫(yī)療
--藥品
--食品,農(nóng)業(yè)
5、地球化學(xué)
--礦物,沉積物
6、微電子工業(yè)
-- 過(guò)程化學(xué)
--有機(jī)試劑
儀器特點(diǎn):
1、樣品導(dǎo)入系統(tǒng)
敞開式進(jìn)樣系統(tǒng),配備外部可裝卸的玻璃同心霧化器與玻璃旋流霧室。
包含一個(gè)插入式自定位的標(biāo)準(zhǔn)整體型石英炬管,炬管被安裝在一個(gè)緊湊的法拉第網(wǎng)格屏蔽箱內(nèi),阻止高頻輻射。
在炬箱門上帶有一個(gè)防止紫外輻射的觀察窗口。
氣體屏蔽裝置阻止腐蝕性氣體侵蝕質(zhì)譜儀中的一些關(guān)鍵部件。
4通道12滾輪的蠕動(dòng)泵,與進(jìn)樣系統(tǒng)緊湊的安裝,速度可變,由計(jì)算機(jī)控制(到100rpm)。
2 、RF發(fā)生器
l 27.12MHz;計(jì)算機(jī)控制功率調(diào)整,從100W到1600W連續(xù)可調(diào),步進(jìn)間隔1W。
l 對(duì)于不同種類的樣品,化功率設(shè)置被定義和存儲(chǔ)在每個(gè)相應(yīng)的方法中。
3、真空系統(tǒng):
三級(jí)真空系統(tǒng)配置了高級(jí)的分流式分子渦輪泵,擁有的氣體排氣量,頂端開啟式真空室,更容易接近分析器組件。
真空室內(nèi)部所有元件的電路連接都采用了固定在真空室頂蓋上的金彈簧頂針接頭,減少了連線,使RF高頻泄漏降到最小,并確保電路通暢。
從大氣壓開始,20分鐘即可抽到可工作狀態(tài)。
真空度:關(guān)閉滑閥<5x 10-5Pa;操作儀器時(shí)<4x 10-4Pa
4、離子光學(xué)系統(tǒng)
光子和中性粒子的消除:離子偏轉(zhuǎn)鏡,使分析器和檢測(cè)器保持與光軸離軸。
透鏡組:帶偏轉(zhuǎn)的離子透鏡組,具有極低的背景噪聲,提供的信噪比。
5、四極桿/質(zhì)量分析器
四極桿配置:230mm x 12mm 并采用了更方便的非對(duì)稱定位安裝支架系統(tǒng)。
四極桿材料:鉬和高純氧化鋁陶瓷支架。
四極桿設(shè)置時(shí)間:動(dòng)態(tài)設(shè)置最小設(shè)置時(shí)間1ms
質(zhì)量數(shù)范圍:2到255amu
四極桿電源采用DDS(直接數(shù)字頻率合成)技術(shù),實(shí)現(xiàn)頻率自動(dòng)匹配。
6、碰撞反應(yīng)池技術(shù)
動(dòng)能歧視技術(shù);使用碰撞氣體(He)
有效地消除由樣品基體或等離子源引起的各種多原子離子干擾,同時(shí)保持碰撞反應(yīng)池內(nèi)的副產(chǎn)物最小化。
不需要更多復(fù)雜的電路裝置。
7、檢測(cè)器
雙排分列式打拿電極的電子倍增器,可以同時(shí)在脈沖和模擬模式下工作。
*的數(shù)模信號(hào)轉(zhuǎn)換電路,同時(shí)配有而新穎的檢測(cè)器內(nèi)的變壓器系統(tǒng),提供快速的模擬信號(hào)采集,增加信噪比,改善檢測(cè)器在長(zhǎng)期使用下的穩(wěn)定性。
檢測(cè)器采用插拔式設(shè)計(jì),易于更換。
測(cè)量范圍:大于9個(gè)數(shù)量級(jí)
8、數(shù)據(jù)采集
多通道分析器:50,000 通道。
循環(huán)累計(jì):多通道緩沖器數(shù)據(jù)采集,允許快速不間斷的數(shù)據(jù)采集。
在模擬和脈沖兩種模式中,最小駐留時(shí)間為1ms。
跳峰模式,全掃模式,峰掃描模式,在一次樣品數(shù)據(jù)采集中,可選用混合掃描數(shù)據(jù)采集模式,使用集成的軟件進(jìn)行時(shí)序分析。
溫馨提示:
1、樣品測(cè)定完成后,先用3-5%的稀硝酸沖洗2-3分鐘,然后再用去離子水沖洗2-3分種后熄滅等離子體,松開泵夾。
2、 點(diǎn)火分析前確保驅(qū)氣時(shí)間大于1小時(shí),以防止CID檢測(cè)器結(jié)霜,造成CID檢測(cè)器損壞。
3、 定量測(cè)定時(shí)須在光室溫度達(dá)到并穩(wěn)定在38±0.2℃。CID溫度小于-40℃時(shí),點(diǎn)火15分鐘后測(cè)定。



















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