N溝道 Si MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7針 D2PAK封裝
COOLiRFET™ 功率 MOSFET
Infineon 的汽車資格 COOLiRFET™ 功率MOSFET 可實現非常低的導通電阻 (RDS(on))，傳導損耗非常低，從而高效快速切換大電流信號。 它們在惡劣的信號環境中提供更高的效率、功率密度和可靠性，具有強健的雪崩性能、低傳導損耗、快速切換速度和 175°C 高結點溫度。
MOSFET 晶體管
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類 佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 240 A, 522 A |
| 大漏源電壓 | 40 V |
| 大漏源電阻值 | 750 μΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 小柵閾值電壓 | 2.2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 7 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 長度 | 10.67mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 4.83mm |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.65mm |
| 典型關斷延遲時間 | 149 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 13975 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 305 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時間 | 32 ns |
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