產品簡介
N溝道SiMOSFETSPB17N80C3,17A,Vds=800V,3針TO-263封裝通道類型N大連續漏極電流17A大漏源電壓800V大漏源電阻值290mΩ大柵閾值電壓3
詳情介紹
N溝道 Si MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3針 TO-263封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 17 A |
| 大漏源電壓 | 800 V |
| 大漏源電阻值 | 290 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 227 W |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.45mm |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 高度 | 4.57mm |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 典型輸入電容值@Vds | 2300 pF @ 100 V |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.31mm |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 典型接通延遲時間 | 25 ns |
| 典型關斷延遲時間 | 72 ns |
| 晶體管材料 | Si |
- 上一篇： ADUM3160 USB隔離器 USB to USB USB隔
- 下一篇： TC4421AVAT TO220-5 驅動IC芯片
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。