晶振是晶體振蕩器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻并聯再串聯一個電容的二端網絡，電工學上這個網絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯諧振，較高的頻率是并聯諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近,在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯上合適的電容它就會組成并聯諧振電路。這個并聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄,所以即使其他元件的參數變化很大,這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。

　　晶體振蕩器實際應用的環境需要慎重考慮。例如，高強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應的擾動會產生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應用，EMI是另一個要優先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術，重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現較好的EMI特性。

　　如何防止晶振出現不良現象，現在介紹嚴格按照技術要求的規定，對晶振組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，具體如下：

　　1、壓封工序是將調好的諧振件在保護中與外殼封裝起來，以穩定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續沖，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

　　2、由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過低時，石英晶振不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。

　　3、控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。

　　4、當晶體產生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應檢查是否匹配了合適的負載電容，可以通過調節晶體的負載電容來解決。

　　晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯再串聯一個電容的二端網絡，電工學上這個網絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯諧振，較高的頻率為并聯諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯上合適的電容它就會組成并聯諧振電路。這個并聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15p或，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。