結(jié)構(gòu)分析場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡/ ULTRA系列掃描電鏡ULTRA綜合采用了用于形貌成像的GEMINI® In-len二次電子探測(cè)器、用于清晰的組分襯度的EsB探測(cè)器和用于采集晶體通道信息的AsB探測(cè)器。同步的實(shí)時(shí)成像與信號(hào)混合功能提供了的成像能力。
EsB探測(cè)器包含有一個(gè)過(guò)濾柵網(wǎng)，通過(guò)它可實(shí)現(xiàn)高分辨率背散射電子成像，讓以前無(wú)法看見的細(xì)節(jié)歷歷在目。
卡爾.蔡司的荷電補(bǔ)償功能在使用所有探測(cè)器時(shí)，都可以分析非導(dǎo)電樣品
? 低加速電壓時(shí)的超高分辨率二次電子和背散射電子成像
? 用于在納米尺度上實(shí)現(xiàn)組分襯度成像的高效EsB / AsB探測(cè)器
? 精確控制的超大自動(dòng)優(yōu)中心（eucentric）樣品臺(tái)
? 背散射電子和二次電子信號(hào)的實(shí)時(shí)成像與混合功能
? 抑制不導(dǎo)電樣品的荷電效應(yīng)
? 用于X射線分析和背散射電子衍射（EBSD）應(yīng)用的超穩(wěn)定束流模式
結(jié)構(gòu)分析場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡/ ULTRA系列掃描電鏡技術(shù)參數(shù)：
ULTRA基本規(guī)格 | |
分辨率 | 1.0 nm @ 15 kV 1.7 nm @ 1 kV 4.0 nm @ 0.1 kV |
加速電壓 | 0.1 - 30 kV |
探測(cè)電流 | 4 pA - 20 nA |
放大倍數(shù) | 12 - 900,000x |
電子槍 | 熱場(chǎng)發(fā)射 |
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器 | 鏡筒內(nèi)置式In-Lens二次電子探測(cè)器和EsB探測(cè)器，樣品室內(nèi)AsB探測(cè)器和ET探測(cè)器 |
圖象處理 | 7種積分和平均模式 |
系統(tǒng)控制 | 基于Windows® XP的SmartSEM™ |
ULTRA 55SE
成像與測(cè)量工作站
主要特點(diǎn)：
ULTRA——的成像工具
看得更多——超高分辨率的SE與BSE同步成像
看得更清——精確的成像能力
看得更細(xì)——納米尺度上進(jìn)行組分分析的利器
簡(jiǎn)便易用——全面集成的鏡筒內(nèi)置式背散射電子探測(cè)器（EsB）和二次電子探測(cè)器（In-lens detector）
遠(yuǎn)離荷電——Ultra plus中安裝有荷電補(bǔ)償器，實(shí)現(xiàn)了不導(dǎo)電樣品的清晰、精確成像
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