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晶振的串聯電路解釋

2022年09月26日 13:06:23      來源:深圳市億晶振業電子有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:17

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晶振一般采用電容三端式(考畢茲) 交流等效振蕩電路;實際的晶振交流等效電路,其中Cv是用來調節振蕩頻率,一般用變容二極管加上不同的反偏電壓來實現,這也是壓控作用的機理;把晶體的等效電路代替晶體后其中串聯電路就會是晶體的等效電路。
分析整個振蕩槽路可知,利用Cv來改變頻率是有限的:決定振蕩頻率的整個槽路電容C=Cbe,Cce,Cv三個電容串聯后和Co并聯再和C1串聯。可以看出:電壓越小,振蕩越大,Cv變化時對整個槽路電容的作用就越小。因而能“壓控”的頻率范圍也越小。實際上,由于C1很小(1E-15量級),Co不能忽略(1E-12量級,幾PF)。所以,Cv變大時,降低槽路頻率的作用越來越小,Cv變小時,升高槽路頻率的作用卻越來越大。這一方面引起壓控特性的非線性,壓控振蕩器范圍越大,非線性就越厲害;另一方面,分給振蕩的反饋電壓(Cbe上的電壓)卻越來越小,最后導致停振。
采用泛音次數越高的晶振,其等效電容C1就越小;因此頻率的變化范圍也就越小。     

晶振的指標

      總頻差:在規定的時間內,由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的偏差。

      說明:總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負載特性等共同造成的頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心,而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合采用。

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