應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Semistat 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-20℃ to 90℃

溫度穩(wěn)定性：±0.1℃

在半導體生產(chǎn)中，等離子刻蝕是工藝鏈的核心，有干法刻蝕和濕法刻蝕之分。

干法蝕刻，即在真空蝕刻室中對半導體板（晶片）進行等離子處理，等離子體中的離子轟擊晶片，從而使材料脫離。例如，硅晶片上的氧化層可以用這種方法去除，然后再涂上摻雜層（添加了外來原子的層，因此具有一定的導電性）。

等離子體的溫度會影響蝕刻的速度和效率。如果溫度過低，等離子體就不夠活躍，無法有效地燒蝕材料。如果溫度過高，材料可能會被過度燒蝕，導致誤差和損壞。

因此，在半導體生產(chǎn)中，對等離子體溫度進行精確的溫度控制非常重要，因為晶片的加工范圍在微米和納米之間。即使溫度發(fā)生微小變化，也會導致蝕刻結構的尺寸和形狀發(fā)生顯著變化。

LAUDA Semistat 可為干法蝕刻這一敏感工藝提供專門的溫度控制解決方案。LAUDA Semistat 基于帕爾帖原理設計，可以實現(xiàn)快速且準確的溫度控制，并且，與傳統(tǒng)壓縮機相比，可以節(jié)省達 90% 的能耗。占地空間極小，可以安裝在地板下的夾層中，節(jié)省潔凈室空間。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Integral XT 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-50℃ to -60℃

溫度穩(wěn)定性：±1℃（輸出端）

PVD 技術是指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，通過低壓氣體，或等離子體過程，在晶圓表面沉積成具有某種特殊功能的薄膜的技術。

在沉積過程中，需要保證晶圓的溫度不會因電源照射所產(chǎn)生的熱量急劇上升，晶圓溫度的穩(wěn)定性是 PVD 工藝的關鍵之一。

晶圓的溫度在工藝過程中通過靜電卡盤（ESC, E-chuck）控制。靜電卡盤為晶圓背面提供支撐，以靜電吸附的方式保證其固定，并為晶圓提供動態(tài)恒定的溫度。

LAUDA Integral XT 通過傳輸?shù)蜏氐娜娮右海℅alden 冷卻液）來控制設備腔體內靜電卡盤的溫度。控溫精度可高達 ±0.05℃，能夠保證沉積過程中，晶圓溫度的持續(xù)穩(wěn)定。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Variocool 循環(huán)恒溫器

工藝設定溫度：20℃ / 60℃

溫度穩(wěn)定性：±0.1℃（目標水箱溫度）

ECP 是將電解質溶液中的銅離子還原為銅金屬并沉積在晶圓表面的過程。

電鍍時，陽極材料質量、電鍍溶液成分、溫度、電流密度、通電時間、攪拌強度、析出雜質、電源波形皆是造成鍍層質量不佳的因素，需要適時進行控制。 其中溫度控制便是一項重要的溫度參數(shù)。 不同鍍層材料和添加劑決定了不同的溫度要求。動態(tài)控溫功能和控溫精確度是 ECP 工藝的難點。

LAUDA Variocool 循環(huán)恒溫器，可動態(tài)精準控溫至 0.1℃，保證電鍍腔體內，水箱內部的液體能夠保持始終保持在 穩(wěn)定溫度，繼而和化學液進行持續(xù)的熱交換。穩(wěn)定精確的溫度控制可保證良好的電鍍質量。

應用工藝

溫度控制解決方案：

LAUDA Integral XT 工藝過程恒溫器

工藝設定溫度：-55℃

溫度穩(wěn)定性：±1℃（輸出端）

EDS 是一種檢驗晶圓狀態(tài)中各芯片的電氣特性并由此提升半導體良率的工藝。EDS 可分為五步：電氣參數(shù)監(jiān)控、晶圓老化測試、檢測、修補、點墨。其中，檢測步驟會對晶圓進行溫度、速度和運動測試，以檢驗相關半導體功能。

芯片分選機一般會有溫度控制模塊，需要對模塊提供足夠低的冷源，滿足檢測中的溫度設定值。

LAUDA Integral XT 可以通過傳輸?shù)蜏氐睦鋮s液來控制和芯片接觸的模塊的溫度，通過熱傳導，達到對芯片控溫的效果。

大制冷功率以及控溫穩(wěn)定是此工藝的關鍵所在。也是 LAUDA Integral XT 的優(yōu)勢所在。

LAUDA 溫度控制專家，可針對半導體行業(yè)的各種應用，提供不同型號的高品質溫控設備。如果您正在為您的公司尋找高質量的溫度控制解決方案，歡迎咨詢！

我們是 LAUDA , 我們的溫度控制儀器和設備是許多重要應用的核心，為更美好的未來作出貢獻。我們是電動汽車、氫能源、化工、制藥、生物技術、半導體和醫(yī)療技術領域的可靠合作伙伴，在研究、生產(chǎn)和質量控制中保證溫度。65 年來，我們每天都以嶄新面貌支持世界各地的客戶，提供專業(yè)的建議和創(chuàng)新的解決方案。