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500億晶體管!款2nm芯片制程發(fā)布,未來手機(jī)四天一充電?

2023年08月15日 14:49:28      來源:上海雋思實驗儀器有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺      閱讀量:57

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將500億個晶體管集成到指甲大小的芯片上?藍(lán)色巨人稱:我們做到了!最近,IBM宣布了其2納米工藝技術(shù),比目前主流的7納米芯片速度快45%,功耗低75%。然而,2nm的提出引發(fā)了對過程節(jié)點名稱的新思考。
在IBM研究院的阿爾巴尼工廠制造的2納米晶圓

每十年是檢驗?zāi)柖蓸O限的時期,2021年開始的十年也不例外。

隨著EUV技術(shù)的發(fā)展和其他技術(shù)的進(jìn)步,晶體管的尺寸已經(jīng)減小。目前,這項技術(shù)正成為瓶頸。

根據(jù)IBM的新技術(shù),這種架構(gòu)平衡了性能和能源效率——比目前主流的7Nm芯片快45%,功耗低75%。

這則消息,就像一部大片,長期以來主導(dǎo)著臺積電、三星和英特爾的芯片行業(yè),讓IBM有了生存的感覺。

必須澄清的是,工藝節(jié)點稱為“2nm”,這與傳統(tǒng)的線寬不同。

一個2nm芯片制造技術(shù),2nm標(biāo)簽,你明白了嗎。

在過去,這個尺寸曾經(jīng)是芯片上二維特征尺寸的一個等價度量,即90nm、65nm和40nm。

然而,隨著FinFET和其他3D晶體管設(shè)計的出現(xiàn),當(dāng)前的工藝節(jié)點名稱是對“等效2D晶體管”設(shè)計的一種解釋。一般來說,晶體管密度是一個精確的測量,如英特爾所倡導(dǎo)的。

例如,英特爾的7Nm工藝與臺積電的5nm工藝相同;臺積電的5nm工藝沒有50%的改進(jìn)(它比7納米工藝提供15%的改進(jìn))。把它稱為5nm過程是牽強(qiáng)的。據(jù)IBM稱,他們的“2nm”技術(shù)比臺積電的7Nm工藝好50%,所以現(xiàn)在寬松的標(biāo)準(zhǔn)是3.5Nm。

但這不代表IBM的新消息沒有技術(shù)含量。

IBM表示,這種新芯片的“指甲大小”芯片中有多達(dá)500億個晶體管,這使得IBM的晶體管密度達(dá)到每平方毫米3.33億個晶體管(MTr / mm 2)。

      不同的工廠有不同的名稱和不同的密度。令人吃驚的是,這些密度數(shù)字被列為晶體管庫的峰值密度,芯片面積是峰值關(guān)注點,而不是頻率擴(kuò)展功率和熱因素,處理器部分的密度是這些數(shù)字的一半。

IBM沒有明確說明全向柵/納米芯片晶體管的發(fā)展。圖為全新2nm處理器采用三層砷化鎵設(shè)計。

ibm2納米硅制造工藝的橫截面:GAA疊層。

此前,三星推出了3nm的GAA,而臺積電則要等到2nm。相比之下,英特爾在5nm工藝中引入了某種形式的砷化鎵。

該工藝由每個翅片中的三個柵繞(GAA)納米溝道組成。

據(jù)IBM稱,這項先進(jìn)技術(shù)的潛在好處可能包括:

將手機(jī)的電池壽命提高四倍,并要求用戶每四天給手機(jī)充電一次。

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