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掃描電鏡，如果要看到樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，往往需要樣品制備，然而通過傳統(tǒng)的機(jī)械切割研磨方式往往造成應(yīng)力損傷層，在SEM下看到的幾乎全是假象，而無應(yīng)力切割技術(shù)可有效制備樣品獲得真實(shí)內(nèi)部結(jié)構(gòu)。徠卡提供的三離子束切割及拋光技術(shù)，幾乎適用于各類樣品，獲得樣品真實(shí)內(nèi)部結(jié)構(gòu)。并且操作極其簡單。
主講人：童艷麗
科普：離子束技術(shù)，離子束以α角度傾斜轟擊到樣品表面，通過撞擊作用，將樣品的原子以相反的角度撞擊出去，從而達(dá)到拋光或者減薄的效果。
三離子束技術(shù)
EM TIC 3X搭載了三離子束制樣技術(shù)，與傳統(tǒng)的單個離子束制樣不同，徠卡通過將三把離子槍轟擊同一個方向以達(dá)到制樣效果。
三離子束優(yōu)勢：
離子束轟擊樣品時產(chǎn)生熱效應(yīng)，通過熱傳導(dǎo)與基底接觸，由此使得樣品無需運(yùn)動
在離子束轟擊時能清晰觀看到樣品
幾乎無再沉積效應(yīng)
幾乎無假象
EM TIC 3X不僅在離子束的數(shù)量上與眾不同，運(yùn)用的離子也與聚焦離子束技術(shù)的不同。徠卡離子束運(yùn)用的是惰性氣體的氬離子，通過離子槍將氬氣離子化之后，制造出離子束，離子束在對樣品進(jìn)行加工。
氬離子束切割技術(shù)優(yōu)勢
與FIB（聚焦離子束）技術(shù)相比可獲得非常大的切割區(qū)域
幾乎各類材料都可獲得清潔的截面（無Ga離子注入）
獲得的截面，適宜掃描電子顯微鏡（SEM）中元素能譜分析（EDS），波譜分析（WDS），俄歇分析（Auger）及分析晶體取向的背射散電子衍射分析（EBSD）
對前期制樣要求很低
1：SiC 研磨紙的橫切面 l 2：膠合板的橫切面 l 3：-120°C 條件下制備的同軸聚合物纖維 (溶于水) l 4：通過 Leica EM TIC 3X (配旋轉(zhuǎn)載物臺) 處理展現(xiàn)的油頁巖 (納米孔)，總樣品直徑為 25 mm
在使用 Leica EM TIC 3X 之前，通常需要進(jìn)行機(jī)械準(zhǔn)備工作，以便盡可能接近感興趣區(qū)域。Leica EM TXP 是一種的標(biāo)靶面拋光系統(tǒng)，開發(fā)用于樣品的切割和拋光，為 Leica EM TIC 3X 等儀器進(jìn)行后續(xù)技術(shù)處理做好充分準(zhǔn)備。
Leica EM TXP 經(jīng)專業(yè)設(shè)計(jì)，利用鋸切、銑削、研磨和拋光技術(shù)對樣品進(jìn)行預(yù)制。 對于需要準(zhǔn)確定位以及難以制備的挑戰(zhàn)性樣品，它能提供優(yōu)異的結(jié)果，令處理變得輕松簡單。
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