1．Core Dip指標(biāo)概述

1）Core Dip描述：由于光纖的纖芯相對(duì)于包層材質(zhì)較軟，因此在研磨過程中更容易被切削，從而形成纖芯（相對(duì)于包層）的凹陷，稱之為“Core Dip”。如下圖所示，即多模MT／MPO產(chǎn)品的光纖纖芯“Core Dip”

2）Core Dip影響：光纖纖芯的內(nèi)凹陷會(huì)造成MT／MPO產(chǎn)品端接時(shí)，光纖之間形成“Air Gap空隙間隙”，從而直接（主要）影響到系統(tǒng)“Return Loss回波損耗”指標(biāo)

3）Core Dip指標(biāo)的測(cè)量：基于IEC 61300－3－30定義如下所示，推薦使用紅光，至少綠光干涉儀，更適合測(cè)量微觀連續(xù)曲面，可以提升測(cè)量的精度，以及重復(fù)性和再現(xiàn)性。

4）Core Dip指標(biāo)與Return Loss回波損耗的對(duì)應(yīng)關(guān)系：

2．多模高速光模塊對(duì)端接回波損耗指標(biāo)的要求

1）40G／100G SR4光模塊

信號(hào)制式：10G／25GNRZ信號(hào)

RL回波損耗要求：20～30dB

Core Dip規(guī)格：＜150nm

2）400G SR8光模塊

信號(hào)制式：50GPAM4信號(hào)

RL回波損耗要求：＞40dB

Core Dip規(guī)格：＜50nm

3．MT／MPO研磨工藝及Core Dip產(chǎn)能原因

1）常規(guī)LC／SC／FC等連接器用的陶瓷插芯，一個(gè)插芯里一根光纖，為了保證對(duì)接時(shí)光纖接觸，因此陶瓷插芯采用的“球面研磨技術(shù)”

2）而MPO／MTP連接器內(nèi)的MT插芯由于是光纖陣列結(jié)構(gòu)，如果采用球面研磨，那么勢(shì)必造成中間的光纖能夠?qū)樱瑑蓚?cè)的光纖就接觸不到了。因此MPO／MTP產(chǎn)品只能采用的“平面研磨”

3）MPO采用平面研磨，又會(huì)帶來一個(gè)問題：我們雖然說磨PC面，就是0度，但其實(shí)都是有公差的，即＋／－0．2度，而且是長(zhǎng)軸和短軸兩個(gè)方向都存在角度公差。那么兩個(gè)MPO產(chǎn)品（平面）對(duì)接的時(shí)候，因?yàn)榇嬖谘心ソ嵌裙睿饫w之間就會(huì)無法接觸，而形成“對(duì)接間隙”

4）研磨角度公差是必然存在的，那么如何才能解決光纖對(duì)接間隙問題。因此就需要讓光纖凸出MT插芯端面，如下圖所示為IEC 61755－3－3對(duì)于光纖高度的定義，以及MT干涉儀測(cè)量的光纖高度3D／2D圖形：

5）為了在研磨過程中實(shí)現(xiàn)光纖凸出MT插芯端面來，一般用絨布進(jìn)行研磨。因?yàn)楣饫w材質(zhì)硬，而MT插芯是PPS塑料材質(zhì)，軟一些。因此絨布研磨過程中，絨毛＋研磨顆粒，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)塑料MT插芯的切削量比光纖要大，于是就形成了“凸纖”效果

6）但是，鑒于絨毛＋研磨顆粒的研磨方式，會(huì)對(duì)材質(zhì)“軟硬度”區(qū)別形成差異，那么光纖纖芯Fiber Core比光纖包層Cladding要軟，因此在研磨凸纖的過程中，也就順帶產(chǎn)生了Core Dip的凹陷，是“nm級(jí)單位”，這就是Core Dip的產(chǎn)能機(jī)理

7）常見修復(fù)MT／MPO Core Dip的工藝

Back－cut研磨工藝：即通過增加一道SiO／CeO拋光研磨，將Fiber球面區(qū)域盡量磨平，降低Core Dip纖芯凹陷，如下圖示意，甚至可以形成纖芯略凸的狀態(tài)

Flock Film研磨工藝：通過降低MT／MPO凸纖研磨的絨布作用效果，減小Core Dip形成