薄膜鉑熱電阻由一種新的生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)，即用膜工藝改變?cè)械木€繞工藝，制備薄膜鉑熱電阻。它是由亞微米或微米厚的鉑膜及其依附的基板組成。它的測(cè)溫范圍是-50-600℃。目前國產(chǎn)薄膜鉑熱電阻精度可達(dá)到德國標(biāo)準(zhǔn)(DIN)中的B級(jí)，技術(shù)上與水平尚有差距。由于薄膜熱容量小，熱導(dǎo)率大，而基板又是很好的絕緣材料，薄膜鉑熱電阻能準(zhǔn)確地測(cè)出所在表面的真實(shí)溫度。
1、薄膜鉑電阻的特點(diǎn)①可制成高阻值元件(如1000Ω)，適合配用顯示儀表，使用方便，穩(wěn)定可靠。②靈敏度高，響應(yīng)快，在流速為0.4m/s的水中，響應(yīng)時(shí)間(τ0.5)為0.15s。③外形尺寸小(約5mm×2mm×1.3mm)，便于安裝在狹小的場(chǎng)所。④可大批量自動(dòng)化生產(chǎn)，成本低，約為同類繞線電阻價(jià)格的1/2-1/3。⑤缺點(diǎn)是抗固體顆粒正面沖刷性能差。
2、薄膜鉑電阻的設(shè)備制備的方法有真空沉積及陰極濺射法等。主要工藝流程如下：基板炎魔拋光→清洗→鉑蒸鍍或真空沉積在氧化鋁基板上→激光自動(dòng)刻阻→截取單支元件→超聲熱壓焊接引線→涂玻璃釉→通電檢測(cè)與篩選。
3、薄膜鉑電阻的電阻與溫度關(guān)系鉑熱電阻的電阻由兩部分組成：隨溫度變化的電阻RT及不隨溫度變化的剩余電阻Rt。它們的電阻與溫度的關(guān)系為:
R(T)=RT+Rt=100×{1+RT/(RT+Rt)×A×T+RT/(RT+Rt)×B×T2}，公式中A和B為常數(shù)。
4、薄膜鉑電阻應(yīng)用薄膜鉑熱電阻的生產(chǎn)工藝成熟，產(chǎn)量高。適用于表面、狹小區(qū)域、快速測(cè)溫計(jì)需要高阻值元件的場(chǎng)合。
最近薄膜鉑熱電阻制作工藝又有所改進(jìn)。把鉑研制成粉漿，采用感光平板印刷技術(shù)，將鉑附著在陶瓷基片上形成鉑膜。膜厚在2μm以內(nèi)加上引線，保護(hù)釉經(jīng)激光刻阻制作而成。
這種薄膜鉑熱電阻具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。在600℃溫度下工作1000h后，其電阻變化＜0.02%。
薄膜鉑熱電阻的引線隨工作溫度不同而異：-200~150℃時(shí)，引線材質(zhì)：鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm。-50~400℃時(shí)，引線材質(zhì)：鈀銀合金。Φ0.25mm×10mm。-50~600℃時(shí)，引線材質(zhì)：鉑鎳合金。Φ0.25mm×10mm。-60~850℃時(shí)，引線材質(zhì)：鉑銠合金。Φ0.25mm×10mm。
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