技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | HI-SEMICON |
| 型號(hào): | SGM041R8T |
| 封裝: | PDFN5x6-8L |
| 批次: | 22+ |
| 數(shù)量: | 400000 |
| 封裝: | PDFN5*6-8L |
| 漏極電流(Id): | 150A |
| 漏源導(dǎo)通電阻(RDS On): | Ω |
| 柵源電壓(Vgs): | ±20 |
| 漏源電壓(Vdss): | 40V |
| 柵極電荷(Qg): | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間: | |
| 耗散功率: | 890(mW) |
| 工作溫度范圍: | -55~+150℃ |
深圳市鴻鑫偉業(yè)科技有限公司
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| 參 考 價(jià): | 面議 |
技術(shù)參數(shù)品牌:HI-SEMICON型號(hào):SGM041R8T封裝:PDFN5x6-8L批次:22+數(shù)量:400000封裝:PDFN5*6-8L漏極電流(Id):150A漏源導(dǎo)通電阻(RDSOn):2
| 品牌: | HI-SEMICON |
| 型號(hào): | SGM041R8T |
| 封裝: | PDFN5x6-8L |
| 批次: | 22+ |
| 數(shù)量: | 400000 |
| 封裝: | PDFN5*6-8L |
| 漏極電流(Id): | 150A |
| 漏源導(dǎo)通電阻(RDS On): | Ω |
| 柵源電壓(Vgs): | ±20 |
| 漏源電壓(Vdss): | 40V |
| 柵極電荷(Qg): | |
| 反向恢復(fù)時(shí)間: | |
| 耗散功率: | 890(mW) |
| 工作溫度范圍: | -55~+150℃ |
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