產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SIA517DJ-T1-GE3封裝：QFN批次：21+數量：100000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SC70-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：12VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SIA517DJ-T1-GE3 |
| 封裝： | QFN |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 100000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-SC70-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 29 mOhms, 61 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 400 mV |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC, 20 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | TrenchFET, PowerPAK |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | SIA |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | mm |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導 - 最小值： | 21 S, 11 S |
| 下降時間： | 10 ns, 20 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 10 ns, 25 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 22 ns, 30 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns, 30 ns |
| 零件號別名： | SIA517DJ-GE3 |
| 單位重量： | 28 mg |
- 上一篇： PDR5G-13
- 下一篇： SIC534CD-T1-GE3
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。