EVG光刻機主要應用于半導體光電器件、功率器件、傳感器、混合電路、微波器件及微電子機械系統(MEMS、)硅片凸點、芯片級封裝以及化合物半導體等,涵蓋了微電子領域微米或亞微米級線條的芯片的光刻應用。
主要特點
1. 化的降低使用者的總體擁有成本; | |||||||
2. 支持背面對準光刻和鍵合對準工藝 | |||||||
3. 自動的微米計控制曝光間距 | |||||||
4. 自動契型補償系統 | |||||||
5. 的全局光強均勻度 | |||||||
6. 免維護單獨氣浮工作臺 | |||||||
7. 小化的占地面積 | |||||||
8. Windows圖形化用戶界面 | |||||||
9. *的多用戶管理(用戶權限、界面語言、菜單和工藝控制) | |||||||
技術參數
襯底/晶片尺寸(mm) | 小片--200mm,150mm*150mm, 厚度 | |
掩膜板尺寸 | 9'*9' | |
物鏡間距 | 8-30mm連續可調 | |
對準方式 | 上部對準,CCD | ± |
上部對準,目鏡 | 可選 | |
底部對準 | 可選 | |
透過式紅外對準 | 可選 | |
鍵合對準 | 可選 | |
原位對準校正 | 可選 | |
工作臺 | 微米計 | 手動 |
載片臺 | 真空吸盤式,標配4寸,可擴至8寸 | |
接觸壓力 | 5-80N可調 | |
曝光 | 方式 | 接近式,軟、硬、真空接觸 |
分辨率 | 接觸式<,接近式≥2um | |
波長 | 350-450nm,可選200nm | |
光強均勻性 | ≤2% | |
汞燈 | 350W,500W | |
納米壓印光刻 | 硬壓頭 | 可選 |
軟壓頭 | 可選 | |

















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