晶體管類型:1個NPN,1個PNP 集射極擊穿電壓(Vceo):65V 集電極電流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;650mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;220@2mA,5V 特征頻率(fT):100MHz 工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj) PNP+NPN
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晶體管類型:1個NPN,1個PNP集射極擊穿電壓(Vceo):65V集電極電流(Ic):100mA功率(Pd):225mW集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA
晶體管類型:1個NPN,1個PNP 集射極擊穿電壓(Vceo):65V 集電極電流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;650mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;220@2mA,5V 特征頻率(fT):100MHz 工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj) PNP+NPN
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