產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7100DN-T1-E3封裝：QFN8批次：2021+數量：6515制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：35A（Tc）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7100DN-T1-E3 |
| 封裝： | QFN8 |
| 批次： | 2021+ |
| 數量： | 6515 |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 35A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ， |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 毫歐 @ 15A， |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），52W（Tc） |
| 工作溫度： | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | PowerPAK® 1212-8 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 8 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 105 nC @ 8 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 3810 pF @ 4 V |
| 基本產品編號： | SI7100 |
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