產品簡介
技術參數品牌：INFINEON型號：IPP60R190C6封裝：TO220批次：2021+數量：6515制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：20
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IPP60R190C6 |
| 封裝： | TO220 |
| 批次： | 2021+ |
| 數量： | 6515 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 170 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 63 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 151 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | CoolMOS C6 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 下降時間： | 9 ns |
| 上升時間： | 11 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 110 ns |
| 典型接通延遲時間： | 15 ns |
| 零件號別名： | SP000621158 IPP6R19C6XK IPP60R190C6XKSA1 |
| 單位重量： | 6 g |
- 上一篇： TMP141AIDGKR 溫度傳感器 TI 封裝MSOP8
- 下一篇： ST1S03PUR 電源管理芯片 ST 封裝DFN-6
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。