產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STF7NM80批號：21+封裝：TO-220數量：4000QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續漏極電流：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STF7NM80 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數量： | 4000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 800 V |
| Id-連續漏極電流： | 6.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.05 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 18 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 25 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | MDmesh |
| 封裝： | Tube |
| 配置： | Single |
| 高度： | 9.3 mm |
| 長度： | 10.4 mm |
| 系列： | STF7NM80 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.6 mm |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 正向跨導 - 最小值： | 4 S |
| 下降時間： | 10 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 8 ns |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 35 ns |
| 典型接通延遲時間： | 20 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
- 上一篇： TI/德州儀器 功率因數修正（PFC) UC385
- 下一篇： SAMSUNG/三星 K4B2G0846F-BYMA FBGA78
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。