產品簡介
技術參數品牌：ON型號：NTJD4105CT2G批號：18+封裝：SOT-363數量：3000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-363-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：27V,10
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NTJD4105CT2G |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SOT-363 |
| 數量： | 3000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 27 V, 10.5 V |
| Id-連續漏極電流： | 630 mA, 775 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 290 mOhms, 220 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 12 V, 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 920 mV, 830 mV |
| Qg-柵極電荷： | 1.3 nC, 2.2 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 270 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.9 mm |
| 長度： | 2 mm |
| 系列： | NTJD4105C |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.25 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 2 S |
| 下降時間： | 506 ns, 36 ns |
| 上升時間： | 227 ns, 23 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 786 ns, 50 ns |
| 典型接通延遲時間： | 83 ns, 13 ns |
| 單位重量： | 7.500 mg |
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