維爾克斯光電提供:EKSMA OPTICS品牌 KTP普克爾斯盒系列,KD*P普克爾盒系列,OBO普克爾盒系列。
普克爾盒通過給電光晶體施加電壓改變光的偏振態。普克爾盒通常用于Q開關,使用波段覆蓋200-2000nm。普克爾盒具有體積小,低吸收率,覆蓋波段200-2000nm 的特點使其非常適合于激光腔Q開關, 腔倒空應用。
維爾克斯光電提供EKSMA OPTICS品牌,KTP普克爾斯盒系列,KD*P普克爾斯盒系列,OBO普克爾斯盒系列。
一、EKSMA OPTICS KTP普克爾斯盒
EKSMA OPTICS的PCK系列KTP普克爾斯盒基于特殊生長的高抗性KTP晶體。與RTP相比,KTP晶體具有非常良好的光學均勻性和高損傷閾值。其的性能可勝任高負荷強度工作,并能在高電壓條件下長時間穩定運行。
KTP普克爾斯盒特點:
與BBO普克爾斯盒相比,所需HV電壓小兩倍
可在高負荷強度下連續工作
超低壓電振鈴效應
標準產品孔徑:3×3,4×4,6×6,8×8
應用:
高重復頻率激光器Q-switching應用:1 kHz – 1 MHz
高重復頻率激光器脈沖選擇器
型號參數:
型號 | PCK4 | PCK4-O | PCK6 | PCK6-O |
有效孔徑直徑 | 3.5 mm | 5.5 mm | ||
晶體尺寸 | 4*4*10 mm | 6*6*10 mm | ||
晶體數量 | 2 | |||
1064nm半波電壓 | <1.8 kV DC | <2.5 kV DC | ||
電容 | 4 pF | <6 pF | ||
光學透過率 | > 98% | |||
對比度 | > 1:500 | |||
普克爾斯盒尺寸 | ⊙25.4*42.2 mm | ⊙25*11.1*7.5 mm | ⊙25.4*42.2 mm | ⊙25*13.8*10.6 mm |
二、EKSMA optics DKDP普克爾斯盒
普克爾斯盒輸出光偏振態隨著施加于其電光晶體(如DKDP(KD*P))電極上的電壓變化而變化。將其與偏振器件配合使用,會非常輕易實現高速的光學開關。這方面的典型應用包括Q開關,激光腔倒空,光學斬波器,以及再生放大器的光耦合。
DKDP(KD*P)普克爾斯盒常用于400nm到1100nm范圍的電光調Q。當前商用的閃光燈泵浦Nd:YAG激光器和低重復頻率的二極管泵浦全固態 Nd:YAG激光器中,大部分都配置了DKDP(KD*P)普克爾斯盒。
我們在DKDP(KD*P)電光晶體鍍有抗高功率損傷的介質膜,同時我們還對PC12SR和D-Compact系列普克爾斯盒附有AR鍍膜的保護窗片,這樣在保證性能的基礎上,還大大的提高了產品的使用壽命,在各種環境中獲得了大量成功應用
標準產品為1064nm的增透膜,同時可以根據用戶需求提供其他波長增透膜定制。
激光損傷閾值 gt;5J/cm2,10ns@1064nm
DKDP(KD*P)普克爾盒特點:
結構緊致
超低吸收
超寬透過400 nm to 1100 nm
應用:
諧振腔調Q開關
腔倒空
型號參數:
型號 | PC5S | PC5D | PC10S | PC12SR | D-compact/9 | D-compact/12 |
有效孔徑直徑 | 4.5×4.5 mm | 9.5×9.5 mm | Ф11 mm | Ф8 mm | Ф11 mm | |
晶體數量 | 1 | 2 | 1 | |||
1064nm半波電壓 | <6.5 kV DC | <3.4 kV DC | <6.8 kV DC | |||
電容 | 1 , 5 pF | 3 pF | 4 pF | 6 pF | 6 pF | 6 pF |
光學透過率 | > 97% | |||||
消光比 | > 1:2000 | > 1:1000 | > 1:2000 | > 1:2000 | > 1:2000 | > 1:2000 |
普克爾斯盒尺寸 | 20×16×28.5 mm | 23×16×52 mm | 22×18×33mm | Ф35×41 mm | Ф25.4×35 mm | Ф25.4×39 mm |
三、EKSMA optics BBO普克爾斯盒
通過施加電壓到電光晶體BBO的電極上,來改變光的偏振態,和偏振片結合使用,普克爾盒可以當做一個快速的光開關。典型應用包括激光腔的Q開關,腔倒空等。
BBO電光晶體普克爾盒工作波段可以從200nm到2000nm,低振鈴效應使得BBO普克爾盒適合用于高功率,高重復頻率激光器。配合合適的快速普克爾盒開光驅動器,BBO普克爾盒可以用于Q開關,腔倒空等應用。BBO晶體電光系數低,需要較高的操作電壓。對于2.5mm口徑的器件,其1/4電壓為4Kv@1064nm。
標準產品為1064nm的增透膜,同時可以根據用戶需求提供其他波長增透膜定制。
激光損傷閾值 gt;5J/cm2,10ns@1064nm
BBO普克爾盒特點:
低壓電振鈴效應
低吸收損耗
透過率范圍200 nm-2000 nm
結構緊湊
BBO普克爾盒應用:
高重頻DPSS Q開關
高重頻再生放大器控制
腔倒空
光學斬波器
型號參數:
型號 | PCB3S | PCB3D | PCB4S | PCB34D | ||
有效孔徑直徑 | 2.5 mm | 3.5 mm | ||||
晶體數量 | 1 | 2 | 1 | 2 | ||
1064nm半波電壓 | <3.4 kV DC | <1.7 kV DC | <4.6 kV DC | <2.3 kV DC | ||
電容 | 4 pF | 6 pF | 3 pF | 6 pF | ||
光學透過率 | > 98% | |||||
消光比 | > 1000:1 | > 500:1 | > 1000:1 | > 500:1 | ||
普克爾斯盒尺寸 | Ф25.4×37.2 mm | Ф25.4×57.2 mm | Ф25.4×37.2 mm | Ф25.4×57.2 mm | ||














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