產品簡介
技術參數品牌：INFINEON/英飛凌型號：IRF7759L2TRPBF數量：2000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：DirectFET-L8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：75VId-連續漏極電流：160ARdsOn-漏源導通電阻：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | IRF7759L2TRPBF |
| 數量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DirectFET-L8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 75 V |
| Id-連續漏極電流： | 160 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 1.8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 4 V |
| Qg-柵極電荷： | 200 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 33 ns |
| 高度： | 0.74 mm |
| 長度： | 9.15 mm |
| 上升時間： | 87 ns |
| 晶體管類型： | 80 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 18 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7.1 mm |
| 寬度： | IRF7759L2TRPBF SP001563710 |
| 零件號別名： | 176.520 mg |
- 上一篇： LBLT1G 開關二極管 LRC/樂山無線電
- 下一篇： PMR100HZPFU5L00 貼片、片式電阻 ROHM/
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。