高產(chǎn)量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達(dá)兩個(gè)片盒站組合，用于到200 mm晶片的高產(chǎn)量工藝。

研發(fā)

三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿(mǎn)足研發(fā)的要求。樣品可以通過(guò)預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。

沉積系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機(jī)械手臂，可適用于三至六個(gè)端口。可以使用多達(dá)兩個(gè)片盒站來(lái)增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過(guò)圖形用戶(hù)界面控制軟件操作。*的控制軟件可用于工業(yè)領(lǐng)域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)。