產品簡介
技術參數品牌：ST意法型號：STF5NK100Z封裝：TO-220F批次：17+數量：10296制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1kVId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST意法 |
| 型號： | STF5NK100Z |
| 封裝： | TO-220F |
| 批次： | 17+ |
| 數量： | 10296 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1 kV |
| Id-連續漏極電流： | 3.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3.7 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 30 V |
| Qg-柵極電荷： | 42 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 9.3 mm |
| 長度： | 10.4 mm |
| 系列： | STF5NK100Z |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.6 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 4 S |
| 下降時間： | 19 ns |
| 上升時間： | 7.7 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 51.5 ns |
| 典型接通延遲時間： | 22.5 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
- 上一篇： ROHM RSB6.8SMFHT2N 穩壓二極管 5.78-
- 下一篇： 微芯Microchip 運算放大器及比較器 MCP
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。