產品簡介
技術參數品牌：ROHM型號：RF4E075ATTCR封裝：DFN8批次：15+數量：10296制造商：ROHMSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：HUML2020L-8晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ROHM |
| 型號： | RF4E075ATTCR |
| 封裝： | DFN8 |
| 批次： | 15+ |
| 數量： | 10296 |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | HUML2020L-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 7.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 16.7 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 22 nC |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | RF4E075AT |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 6.5 S |
| 下降時間： | 35 ns |
| 上升時間： | 18 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 60 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 零件號別名： | RF4E075AT |
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