RTS-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
技術(shù)參數(shù)：
測量范圍 | 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm； 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； |
恒流源 | 電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%； 顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示； |
四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | (見探頭附帶的合格證) |
模擬電阻測量相對誤差 | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整機測量zui大相對誤差 | (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5% |
整機測量標準不確定度 | ≤5% |
外型尺寸 | 185mm(長)90mm(寬)30mm(高) |
重量 | 350g |
電源 | 鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時； |
標準使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射； |
| 配置 | 四探針測試儀主機、四探針探頭 | 8500/套 | ||||||
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