
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | INFINEON/英飛凌 |
| 型號: | IRF9Z24NPBF |
| 封裝: | TO-220 |
| 批次: | 20+ |
| 數(shù)量: | 10000 |
| 制造商: | Infineon Technologies |
| 系列: | HEXFET® |
| FET 類型: | P 通道 |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 12A(Tc) |
| 驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 175 毫歐 @ 7.2A,10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
| Vgs(值): | ±20V |
| 功率耗散(值): | 45W(Tc) |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 漏源電壓(Vdss): | 55 V |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 19 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 350 pF @ 25 V |














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