產品簡介
技術參數品牌：INFINEON/英飛凌型號：BSO200N03封裝：SSOP36批次：20+數量：10000制造商：InfineonTechnologies系列：OptiMOS™FET類型：2N-通道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：6.6A不同Id、Vgs時導通電阻（值）：20毫歐@7.9A
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | BSO200N03 |
| 封裝： | SSOP36 |
| 批次： | 20+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | OptiMOS™ |
| FET 類型： | 2 N-通道（雙） |
| FET 功能： | 邏輯電平門 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 6.6A |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 20 毫歐 @ 7.9A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2V @ 13µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 8nC @ 5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1010pF @ 15V |
| 功率 - 值： | 1.4W |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
- 上一篇： HK32F103C8T6 電子元器件 HK航順 封裝L
- 下一篇： IRF9540NPBF 場效應管 INFINEON 封裝TO
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。