產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7450DP-T1-GE3封裝：QFN8批次：18+數量：12000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SO-8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續漏極電流：5
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7450DP-T1-GE3 |
| 封裝： | QFN8 |
| 批次： | 18+ |
| 數量： | 12000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-SO-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續漏極電流： | 5.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 80 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 42 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 5.2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | SI7 |
| 零件號別名： | SI7450DP-GE3 |
| 單位重量： | 506.600 mg |
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